6月23日，由電動汽車電驅(qū)動系統(tǒng)全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電工技術(shù)學會電動車輛專委會主辦，NE時代承辦的2026第六屆全球xEV驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會在上海隆重舉辦。

在這場中國新能源汽車電驅(qū)動領(lǐng)域極具影響力的年度盛會上，賽晶亞太半導體攜新一代自研車規(guī)級高壓SiC芯片 及新型封裝模塊重磅亮相，吸引了眾多新能源汽車上下游廠商的視線。

針對不同電壓平臺下的新能源汽車，賽晶亞太新一代碳化硅MOSFET已做到了全系列覆蓋，從650V、750V，直到1200V與1400V，甚至于更高級別的耐壓，分別對應當前新能源汽車市場中的400V、800V甚至1000V平臺，器件超低的導通損耗能夠給整車帶來更高的效率。

新能源汽車不斷地迭代升級，帶來的變化不僅僅是在電壓平臺上，更是對功率器件的封裝類型提出了更高的挑戰(zhàn)。在大會同期舉辦的專題論壇上，應對封裝革命——嵌入式封裝技術(shù)進展，賽晶亞太技術(shù)支持兼市場總監(jiān)馬先奎先生發(fā)表了《車規(guī)級高壓SiC芯片及其新型封裝應用》主題演講，為車規(guī)級應用提供了高效的產(chǎn)品方案。

針對新興的低空飛行器領(lǐng)域，賽晶亞太半導體推出了1200V/2.2mΩ HEEV模塊，完美適配250kW緊湊電驅(qū)的選擇。其簡易地橋接壓板安裝、靈活配置芯片兼顧均流性能、直接水冷且配置高性能陶瓷基板、無大面積焊接層帶來的高功率循環(huán)壽命等特點，使得這款碳化硅模塊能夠滿足高性能、高效率、小面積的應用場景。

兼容市場主流封裝，賽晶亞太推出了1200V/600A IGBT模塊，以及1200V/2mΩ和1400V/2.75mΩ EVD系列SiC模塊，六合一功率模塊裝配了創(chuàng)新的針腳封裝工藝和設(shè)計，有效降低了內(nèi)部連接阻抗，提升了SiC芯片的并聯(lián)性能。1400V器件完美搭配新型

在新能源汽車市場愈演愈烈的態(tài)勢下，賽晶亞太緊跟功率半導體發(fā)展，借助自身優(yōu)秀的設(shè)計與制造能力，為中國新能源領(lǐng)域貢獻賽晶力量。