2026年4月10日，深圳——在“800VDC數(shù)據(jù)中心能源變革·儲(chǔ)能與第三代半導(dǎo)體協(xié)同發(fā)展論壇”上，賽晶亞太半導(dǎo)體研發(fā)主管Nick Schneider發(fā)表了題為《固態(tài)變壓器用2300V SiC MOSFET技術(shù)方案》的主題演講，正式發(fā)布面向下一代數(shù)據(jù)中心能源系統(tǒng)的2300V碳化硅功率器件解決方案。

行業(yè)背景：AI算力增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)中心能源架構(gòu)變革

隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)中心算力需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì)，AI算力每六個(gè)月翻一番，而伴隨而來的能耗問題已成為制約數(shù)據(jù)中心可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心采用400V交流配電架構(gòu)，依賴低頻變壓器實(shí)現(xiàn)電壓變換，存在系統(tǒng)損耗高、設(shè)備體積大、功率密度低等固有缺陷，難以滿足GPU集群爆發(fā)式增長(zhǎng)的供電需求。

在此背景下，800V直流配電架構(gòu)憑借其更高的輸電效率、更簡(jiǎn)化的系統(tǒng)拓?fù)浜透鼉?yōu)的功率密度，正逐步成為數(shù)據(jù)中心能源系統(tǒng)升級(jí)的主流方向。固態(tài)變壓器（Solid State Transformer, SST）作為實(shí)現(xiàn)中壓交流到低壓直流高效變換的核心設(shè)備，可在無需傳統(tǒng)低頻變壓器的情況下完成能量轉(zhuǎn)換，顯著提升系統(tǒng)靈活性、可擴(kuò)展性和整體能效。

技術(shù)方案：2300V SiC MOSFET賦能固態(tài)變壓器

賽晶亞太半導(dǎo)體基于成熟的m23技術(shù)平臺(tái)，開發(fā)出適用于固態(tài)變壓器應(yīng)用的2300V SiC MOSFET器件。該產(chǎn)品在電壓等級(jí)選擇上實(shí)現(xiàn)了技術(shù)性能與系統(tǒng)成本的最優(yōu)平衡：相較于1200V器件，2300V器件可支持兩級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減少50%的子系統(tǒng)數(shù)量和系統(tǒng)復(fù)雜度；相較于更高電壓等級(jí)（如6.5kV）器件，則在成本、導(dǎo)通損耗和商用成熟度方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。

核心性能參數(shù)

SwissSEM 2300V SiC MOSFET具備優(yōu)異的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性：在150°C結(jié)溫條件下，導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為45mΩ，開關(guān)損耗控制達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，充分滿足固態(tài)變壓器高頻、高功率密度的應(yīng)用需求。

產(chǎn)品系列：多樣化封裝方案滿足系統(tǒng)級(jí)需求

針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)需求，賽晶亞太半導(dǎo)體提供FP型（Easy 2B/3B）和XP型等多種封裝方案，支持單開關(guān)、H橋、相臂等多樣化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。產(chǎn)品電壓覆蓋650V至3300V全系列，并可提供定制化高隔離電壓（Viso）方案，充分滿足多級(jí)串聯(lián)系統(tǒng)中對(duì)散熱器和絕緣設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求。

總結(jié)與展望

Nick Schneider在演講總結(jié)中指出：“2300V SiC MOSFET是目前固態(tài)變壓器應(yīng)用中成本與性能的最佳平衡點(diǎn)。結(jié)合創(chuàng)新的封裝技術(shù)和系統(tǒng)集成能力，我們將加速下一代高效、緊湊、低成本的固態(tài)變壓器技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。”

賽晶亞太半導(dǎo)體將持續(xù)深耕第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，以領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)推動(dòng)數(shù)據(jù)中心能源系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度方向演進(jìn)，為全球數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施的綠色可持續(xù)發(fā)展提供核心器件支撐。