i23 1700V 900A系列IGBT模塊采用經典ED封裝，i23芯片采用微精細溝槽柵技術，實現超低損耗Eon+Eoff，同時也具有高短路能力，以解決芯片高電流密度面臨的挑戰。支持長期運行結溫175°C（Tvjop），集成NTC溫度傳感器，確保高溫工況下的穩定運行，顯著增加了器件的輸出能力，大幅提高系統的功率密度，為風電、工控和新能源等領域帶來突破性的解決方案。

產品型號

• SISD0900ED170i23

產品特點

• i23超低損耗、微精細溝槽柵IGBT芯片組

• 加強 AI2O3絕緣陶瓷基板

• 低熱阻銅底板

• 優化行業標準封裝，顯著降低內部阻抗與接線端溫升

競爭優勢

• 基于多年功率半導體研發經驗優化的自研IGBT與二極管芯片組

• 900A大電流功率模塊封裝設計：銅線綁定+大面積功率端子優化，提升載流與散熱能力

• 單模塊支持900A高電流輸出，簡化系統設計，降低系統綜合成本

• 跨領域高性能解決方案，靈活匹配多元化應用場景

• 生產制造與質量保障體系，確保業務連續性

應用領域

• 風力發電

• 工控

• SVG

• 高壓變頻

• 高壓級聯儲能

• 軌道交通

• 電能質量

1700V 900A i23 ED封裝半橋IGBT模塊，現已量產。歡迎廣大客戶訪問賽晶亞太半導體公司網站 https://www.swiss-sem.com/，查閱詳情、索取樣品。